欢迎访问北京EVO视讯官方科学技术研究所官网，中析研究所隶属于北京前沿科学技术研究院。
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特性
图像空间分辨率高
背面观测(λ=1.3 μm)
可观测高掺杂基底(Epi-sub)
使用红外激光(λ=1.3 μm)意味着在半导体视场内不会产生OBIC信号，因此可探测到缺陷引发的OBIRCH信号
可以测量4象限电压/电流
可升级到微光显微镜(选配)
应用
漏电流路径定位
IDDQ失效分析
金属缺陷探测
金属线缺陷探测(空，硅节)
触控(过孔)异常阻抗部件探测
金属化过程监控
*:IDDQ (Quiescent power supply current，静态供电电流)：IDDQ为MOS管开关完成后流过的静态供电电流。
京公网安备 11010802035695号
