检测项目

1. 迁移电流密度测量（范围：0.1-1000 A/cm²）

2. 激活能计算（温度范围：25-300℃）

3. 温度梯度测试（ΔT：10-150℃）

4. 阈值电压测定（精度±0.01V）

5. 失效时间统计（MTTF≥1000h）

6. 晶粒尺寸分析（SEM分辨率≤5nm）

7. 界面扩散系数（精度1×10⁻¹⁸ m²/s）

8. 应力迁移速率（应变范围0.1-5%）

9. 空洞形成阈值（临界电流密度≥1MA/cm²）

10. 电阻变化率监测（ΔR/R₀≤5%）

11. 原子浓度梯度（EDS面扫精度±0.5at%）

12. 热循环稳定性（循环次数≥500次）

13. 电化学势能谱（扫描速率0.1-100mV/s）

14. 晶界扩散路径分析（EBSD取向差角≤15°）

15. 介质击穿电压（AC/DC模式切换）

检测范围

1. 半导体材料（Si, GaAs, SiC等）

2. 集成电路金属互连层（Cu, Al, W等）

3. 电子封装焊料合金（SnAgCu, SnPb等）

4. MEMS器件结构层

5. PCB板镀铜层

6. LED芯片电极材料

7. 锂离子电池集流体

8. 光伏组件导电浆料

9. 功率器件键合线材

10. 薄膜电容器金属化层

11. 射频器件金凸点阵列

12. TSV三维封装通孔结构

13. OLED透明导电膜层

14. 磁性存储介质电极

15. 高温超导带材基板涂层

检测方法

ASTM F1260:金属互连电迁移寿命评估规程

JESD61A:集成电路加速电迁移试验方法

ISO 16700:扫描电镜定量分析方法

GB/T 4937:半导体器件机械和气候试验方法

IEC 60749:半导体器件环境试验规程

SJ/T 11482:电子封装材料电迁移试验规范

AEC-Q100:汽车电子元件验证标准

MIL-STD-883:微电子器件试验方法标准

T/CSTM 00345:高密度封装焊点可靠性评价导则

SJ 21473:微波组件金属化层失效判据

检测设备

1. Keithley 4200A-SCS参数分析仪：执行高精度电流-电压特性测试与实时数据采集

2. Thermo Fisher Scios 2 DualBeam FIB-SEM：实现纳米级截面制备与微观结构表征联用

3. ESPEC T12温度/湿度/偏压综合试验箱：支持-70~180℃温控与±100V偏置同步加载

4. Bruker D8 Discover X射线衍射仪：完成晶格应变与织构演变定量分析

5. Oxford Instruments EDS/EBSD联用系统：提供元素分布与晶体取向关联分析功能

6. Agilent B1500A半导体参数分析仪：支持脉冲模式下的瞬态电迁移特性测试

7. Hitachi HT7830透射电镜：实现原子尺度扩散路径观测与能谱联用分析

8. Keysight B2900A精密源表：完成μA级漏电流长期监测与数据记录功能

中析研究所检测，科学公正准确！

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

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